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J-GLOBAL ID：200903074266724801

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 粟屋 信義
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996102315
Publication number (International publication number)：1997289214
Application date： Apr. 24, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 多層配線構造において、長距離配線に要求される低抵抗性と、高密度配線におけるマイグレーション耐性を同時に満足できるようにすることを目的とする。【解決手段】 下層に位置する下部配線層5や中間配線層7は銅合金から構成する。これに対して、より上層に位置する上部配線層9や長距離配線層11は準銅から構成する。銅合金としては、銅に対して銀,パラジウム,プラチナ,錫,クロム,ジルコニウム,チタンのいずれかを添加する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を介して形成された銅合金からなる第1の配線層と、前記第1の配線層上に層間絶縁膜を介して形成され、銅からなる第2の配線層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (3)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 Z