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J-GLOBAL ID：200903074271615824

紫外線発光素子

Inventor： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎 ,  常川 高志
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004132083
Publication number (International publication number)：2005019964
Application date： Apr. 27, 2004
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】 発光層の材料をInGaNとした紫外線発光素子の構造を最適化することによって、より高出力で長寿命の紫外線発光素子を提供すること。【解決手段】 結晶基板Sの表面に凹凸1Sを加工し、該凹凸に、GaN系半導体低温バッファ層1を介してまたは直接的に、GaN系結晶層2を気相成長させる。該GaN系結晶層は、前記凹凸の凹部内を実質的に充填しかつ該凹凸を埋め込んで平坦化するまで成長させ、その上に、紫外線を発生し得る組成のInGaN結晶層を発光層として成長させて、紫外線発光素子とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

表面に凹凸が加工された結晶基板上に、GaN系半導体からなる低温バッファ層を介してまたは直接的に、GaN系結晶層が気相成長しており、該GaN系結晶の上に、紫外線を発生し得る組成のInGaN結晶層が成長し発光層となっている半導体発光素子構造を有することを特徴とする紫外線発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (11)：

5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-292684   Applicant：株式会社東芝
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-267827   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体装置および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-143218   Applicant：ソニー株式会社