Pat

J-GLOBAL ID：200903074272537320

酸化物焼結体

Inventor： 名手 達夫 ,  高梨 昌二 ,  岸 俊人
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995048146
Publication number (International publication number)：1996246143
Application date： Mar. 08, 1995
Publication date： Sep. 24, 1996
Summary：

【要約】【構成】 インジウム、錫および酸素を主成分とし、相対密度が85%以上で、かつ、直径2μm以上の空孔の面積基準の個数分布が任意表面で20%以下である酸化物焼結体。又、インジウム、錫および酸素を主成分とし、相対密度が85%以上で、かつ、直径2μm以上の空孔の95%以上が断面形状の扁平率が2以下の概ね球状である酸化物焼結体。【効果】 スパッタリング中の異常放電回数がきわめて少なく、また長時間使用後においてもノジュールが発生しないITOターゲットが提供できる。

Claim (excerpt)：

インジウム、錫および酸素を主成分とし、相対密度が85%以上で、かつ、直径2μm以上の空孔の面積基準の個数分布が任意表面で20%以下であることを特徴とする酸化物焼結体。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C01G 19/00 ,  H01B 13/00 503

FI (3)：

C23C 14/34 A ,  C01G 19/00 A ,  H01B 13/00 503 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 透明導電膜形成用インジウム酸化物系焼結体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-021222   Applicant：日立金属株式会社