Pat
J-GLOBAL ID:200903074274614543
酸化鉄の光触媒膜、かかる光触媒膜を有する電極、かかる膜を製造する方法、該電極を有する光電気化学セル、および該セルを有する光電気化学システム
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
宮川 貞二
, 宮川 清
, 松村 博之
, 東野 博文
, 高橋 和夫
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002515418
Publication number (International publication number):2004504934
Application date: Jul. 29, 2001
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
半導体酸化鉄(Fe2O3)の光触媒膜は、n型ドーパントまたは混合n型ドーパント、もしくはp型ドーパントまたは混合p型ドーパントを含む。電極は、n型ドープまたはp型ドープされた半導体酸化鉄(Fe2O3)の一つ以上の膜または光触媒編成の膜を、例えば、一方側の表面または両側の表面に有する基板から成る。光電気化学セルは、n型ドープまたはp型ドープされた半導体酸化鉄(Fe2O3)のひとつの膜または複数層の膜を有する電極を備える。半導体酸化鉄(Fe2O3)の膜は、スプレー熱分解法またはゾルゲル法により製造できる。可視光により水を水素と酸素に直接分解するためのシステムであって、この本システムは、光触媒膜を有する一つ以上の光電気化学セルを備える。このシステムは、ドープされた酸化鉄(Fe2O3)の膜を有する光電気化学セルを備えるタンデムセルシステムであってもよい。
Claim (excerpt):
半導体酸化鉄(Fe2O3)の光触媒膜であって;
n型ドーパント、またはn型ドーパントの混合物、または
p型ドーパント、またはp型ドーパントの混合物を含むことを特徴とする;
半導体酸化鉄の光触媒膜。
IPC (4):
B01J35/02
, B01J23/84
, C01B3/04
, C01G49/06
FI (4):
B01J35/02 J
, B01J23/84 M
, C01B3/04 A
, C01G49/06 Z
F-Term (38):
4G002AA03
, 4G002AA12
, 4G002AB02
, 4G002AD02
, 4G002AE05
, 4G069AA03
, 4G069AA08
, 4G069BA48A
, 4G069BB04A
, 4G069BB04B
, 4G069BC08A
, 4G069BC21A
, 4G069BC22A
, 4G069BC23A
, 4G069BC25A
, 4G069BC26B
, 4G069BC27A
, 4G069BC50B
, 4G069BC51A
, 4G069BC52A
, 4G069BC54A
, 4G069BC55A
, 4G069BC56A
, 4G069BC59A
, 4G069BC63A
, 4G069BC64A
, 4G069BC66A
, 4G069BC66B
, 4G069BD04A
, 4G069BD05B
, 4G069BD06A
, 4G069BD07A
, 4G069BD11A
, 4G069CC33
, 4G069EA08
, 4G069FA02
, 4G069FB24
, 4G069FB34
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