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J-GLOBAL ID：200903074276054790
半導体素子の構造
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992047040
Publication number (International publication number)：1993251686
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウェハー上のゴミを除去するブラシスクラブにおいて、酸化膜等の絶縁膜に帯電する静電気の帯電量を少なくすることを目的とする。【構成】 この発明の半導体素子の構造は、酸化膜等の絶縁膜上の、ゲート電極や回路配線用として用いる導体部以外の部分を導電性の膜で被覆したものである。さらにこの被覆膜を基板電位等に接続し、固定電位としたものである。
Claim (excerpt)：
素子分離膜上もしくは層間絶縁膜上のゲート電極部や配線部等の素子形成領域以外の領域を、前記素子と電気的に分離された導電性の薄膜で被ったことを特徴とする半導体素子の構造。
IPC (4)：
H01L 29/40
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/90
Cited by examiner (6)
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