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J-GLOBAL ID：200903074278083445

レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (10)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004254170
Publication number (International publication number)：2006071889
Application date： Sep. 01, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

【課題】 液浸リソグラフィに用いる液体によるレジスト膜の軟化を防止して、良好な形状を有する微細化パターンを得られるようにする。 【解決手段】 レジスト材料は、アルカリ可溶性基の一部が酸により不安定となる酸不安定基で保護された第1のポリマー20Aと、アルカリ可溶性基のほぼ全てが酸により不安定となる酸不安定基で保護された第2のポリマー20Bと、酸発生剤とを含んでいる。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

アルカリ可溶性基の一部が酸により不安定となる酸不安定基で保護された第1のポリマーと、 アルカリ可溶性基のほぼ全部が酸により不安定となる酸不安定基で保護された第2のポリマーと、 酸発生剤とを含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (3)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/032 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/032 ,  H01L21/30 502R

F-Term (20)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-236460   Applicant：富士写真フイルム株式会社