半導体装置およびその製造方法および加工方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993211238
Publication number (International publication number)：1995066417
Application date： Aug. 26, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、ITOと電食反応を起こすことなく、ポジ型レジストを用いてAlを主材とする金属配線を形成することのできる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタ液晶表示用アレイにおいて、信号配線と表示用画素透明電極が同一レイヤ-に形成され、前記信号配線材料として標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を含むアルミニウムであることを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

基板の同一平面上に酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体と金属層とが形成されている半導体装置において、前記金属層がアルミニウムに標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/28 301 , H01L 29/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-130776
薄膜デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-007269 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置とこれを用いた液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-347182 Applicant：松下電器産業株式会社

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