Pat

J-GLOBAL ID：200903074292792513

薄膜コンデンサ

Inventor： 阿部 和秀 ,  小松 周一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992131130
Publication number (International publication number)：1993326839
Application date： May. 22, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 容量の経時変化及びリーク電流の電圧極性依存性を低減し得る薄膜コンデンサを提供することを目的とする。【構成】 バイアス電圧を負電圧から正電圧へ上昇させたときに容量が最大となるバイアス電圧をVCMAX+ とし、逆に前記バイアス電圧を正電圧から負電圧に低下させたときに容量が最大となるバイアス電圧をVCMAX- としたときに、|VCMAX+ -VCMAX- |≦0.3かつ、-0.3≦VCMAX+ ≦0.3-0.3≦VCMAX- ≦0.3 (単位はV)を満足することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

膜厚350nm以下の高誘電率薄膜を介して下部電極と上部電極とが対向形成されてなる薄膜コンデンサにおいて、前記下部電極と上部電極間に印加されるバイアス電圧を負電圧から正電圧へ上昇させたときに容量が最大となるバイアス電圧をVCMAX+ とし、逆に前記バイアス電圧を正電圧から負電圧に低下させたときに容量が最大となるバイアス電圧をVCMAX- としたときに、|VCMAX+ -VCMAX- |≦0.3かつ、-0.3≦VCMAX+ ≦0.3-0.3≦VCMAX- ≦0.3 (単位はV)を満足することを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01G 4/06 102 ,  H01B 17/62