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J-GLOBAL ID：200903074314118781

半導体発光装置の製造方法

Inventor： 本多 由明 ,  田中 義光
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 松本 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992104989
Publication number (International publication number)：1993299766
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザの如き半導体発光装置の製造上における量産性やバラツキの問題を改善することを課題とする。【構成】 活性層3にクラッド層2,4が重ね合わされてなる半導体多層体aの側端面Aに反射膜8が設けられている半導体発光装置を製造するにあたり、基板1の上に前記活性層用半導体膜およびクラッド層用半導体膜を積層形成してから、積層形成した半導体膜の表面における半導体多層体用域をマスク10で覆っておいて、前記半導体多層体における側端面が現れるようにエッチングで未マスク域を堀り込んだ後、現れた側端面に反射膜を形成するようにすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

活性層にクラッド層が重ね合わされてなる半導体多層体の側端面に反射膜が設けられている半導体発光装置の製造方法において、基板の上に前記活性層用半導体膜およびクラッド層用半導体膜を積層形成してから、積層形成した半導体膜の表面における半導体多層体用域をマスクで覆っておいて、前記半導体多層体における側端面が現れるようにエッチングで未マスク域を堀り込んだ後、現れた側端面に反射膜を形成するようにすることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。