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J-GLOBAL ID：200903074316716759

ZnO系焼結体およびその製造方法

Inventor： 高梨 昌二
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 鴨田 朝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998140192
Publication number (International publication number)：1999322332
Application date： May. 21, 1998
Publication date： Nov. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 スパッタリングターゲットとして用いて、異常放電の発生が少なく、低抵抗・高透過率を有するZnO膜を成膜することがきるZnO系焼結体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 ZnO系焼結体は、B、In、Al、Ga、Ge、Sn、Si、Tiのうちの少なくとも1種がZnOに固溶し、焼結密度4.5g/cm3 以上、体積抵抗率1kΩ・cm以下、平均結晶粒径2〜20μmを有する。ZnO系焼結体の製造方法では、上記添加元素の酸化物とZnOからなる粉末を調製し、800〜1300°Cを速く昇温し、1000〜1500°Cで焼結する。

Claim (excerpt)：

(1)B、In、Al、Ga、Ge、Sn、SiおよびTiからなる群から選ばれた少なくとも1種が0.2〜14原子%固溶したZnO相を組織の主な構成相とし、(2)焼結密度が4.5g/cm3 以上、(3)体積抵抗率が1kΩ・cm以下、かつ(4)平均結晶粒径が2〜20μmであるZnO系焼結体。

IPC (2)：

C01G 9/02 ,  C23C 14/34

FI (2)：

C01G 9/02 A ,  C23C 14/34 A