スパッターターゲット材及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993013072
Publication number (International publication number)：1994220625
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】スパッターターゲット用の材料品質特性を満足し,圧延加工とその後二次加工に於けるトラブルを皆無にし,実用性のある低コストのスパッターターゲット材及びその製造方法を提供すること。【構成】精練技術によって得られた高純度のタングステン粉末を,焼結時に於ける炉材や雰囲気からの汚染を防止した。更に,熱間圧延加工によって相対密度を99.00%以上確保し,その圧延加工後の熱処理により二次加工が容易にできる素材硬度の範囲を究明した。

Claim (excerpt)：

タングステン焼結体の圧延材であって,前記圧延材は,結晶粒径が30〜300μmのタングステン粒子を有するとともにHv 360〜400の範囲内の硬度と,99.0%以上の相対密度とを有することを特徴とするタングステンターゲット材。

IPC (2)：

C23C 14/34 , B22F 3/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-071514
半導体用タングステンターゲットの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-023724 Applicant：日立金属株式会社
特開平4-064327

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