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J-GLOBAL ID：200903074358956741
II-VI族化合物半導体の成長方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994141237
Publication number (International publication number)：1995326586
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 アクセプタ濃度が十分に高いp型のII-VI族化合物半導体を成長させる。【構成】 有機金属化学気相成長法またはガス原料を用いた分子線エピタキシー法によりp型のII-VI族化合物半導体、例えばp型ZnSeなどを成長させる場合のp型ドーパントとして、ジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウムを用いる。
Claim (excerpt)：
II族元素の原料、VI族元素の原料およびp型ドーパントを用いた気相成長法によりp型のII-VI族化合物半導体の成長を行うようにしたII-VI族化合物半導体の成長方法において、上記p型ドーパントが、ジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウムから成ることを特徴とするII-VI族化合物半導体の成長方法。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/365
