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J-GLOBAL ID：200903074369487581

半導体レーザ素子

Inventor： 庄野 昌幸 ,  石川 徹 ,  茨木 晃
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993261119
Publication number (International publication number)：1994196812
Application date： Oct. 19, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低アスペクト比のレーザ光を低い動作電圧で出力する半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1上に形成されたn型AlGaInPクラッド層3、活性層4、ストライプ状の第1リッジ部15を有するp型AlGaInPクラッド層5とからなるダブルヘテロ構造部と、前記リッジ部15上面に形成されたp型AlsGa1-sAs中間層6と、この中間層6上に形成されたこの中間層6上面より大きな幅を有するp型AlGaInPクラッド層7で構成されたストライプ状の第2リッジ部17と、第1リッジ部15、中間層6、及び第2リッジ部17の両側に形成されたn型GaAs電流阻止層10、10から構成される構造とした。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、この基板上に形成された第1導電型の第1クラッド層、活性層、及びストライプ状の第1リッジ部を有する第2導電型の第2クラッド層とからなるダブルヘテロ構造部と、前記第1リッジ部上に形成された第2導電型の第3クラッド層としてのストライプ状の中間層と、該中間層上に形成された該中間層上面幅より大きな幅を有する第2導電型の第4クラッド層としてのストライプ状の第2リッジ部と、前記第1リッジ部、前記中間層、及び前記第2リッジ部の両側に形成された第1導電型の電流阻止層と、を備え、前記中間層の材料と、前記第1リッジ部の材料及び前記第2リッジ部の材料とは、択一的に選択エッチング可能であることを特徴とする半導体レーザ素子。