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J-GLOBAL ID：200903074369758321

半導体装置の欠陥検出法および装置

Inventor： 藤井 眞治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001243373
Publication number (International publication number)：2003059988
Application date： Aug. 10, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の微細な欠陥箇所を、ラマン分光法により高精度で検出する。【解決手段】 半導体装置の表面に陽極酸化膜を形成し、次にその陽極酸化膜を形成した領域にレーザー光を照射してラマン散乱光を発生させる。このラマン散乱光のラマンスペクトルにより陽極酸化膜を形成した領域における欠陥箇所を検出する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の表面に陽極酸化膜を形成し、次に前記陽極酸化膜を形成した領域にレーザー光を照射してラマン散乱光を発生させ、前記散乱光のラマンスペクトルにより前記領域における欠陥箇所を検出することを特徴とする半導体装置の欠陥検出法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/65 ,  G01N 21/956

FI (3)：

H01L 21/66 J ,  G01N 21/65 ,  G01N 21/956 A

F-Term (34)：

2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043DA06 ,  2G043EA03 ,  2G043GA07 ,  2G043GB19 ,  2G043HA01 ,  2G043HA07 ,  2G043HA09 ,  2G043HA15 ,  2G043JA04 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G043NA01 ,  2G051AA51 ,  2G051AA65 ,  2G051AB02 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051CA03 ,  2G051CB05 ,  2G051CC15 ,  2G051DA07 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106BA14 ,  4M106CA40 ,  4M106CB19 ,  4M106DB03 ,  4M106DB08 ,  4M106DH58 ,  4M106DJ11