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J-GLOBAL ID：200903074373171718

成膜方法およびその装置

Inventor： 須藤 正昭 ,  上田 勝宣
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992084409
Publication number (International publication number)：1993287531
Application date： Apr. 07, 1992
Publication date： Nov. 02, 1993
Summary：

【要約】【構成】本発明は、薄膜を形成した後に、薄膜の平滑性及び膜厚を定量的にモニタしながら、薄膜表面にイオンビームを照射するようにしたものである。【効果】このような本発明は、薄膜内へのイオン物質の流入と残留ガスの混入を極力抑制した状態で、薄膜の表面粗さ並びに膜厚精度を著しく高めることができる。

Claim (excerpt)：

被成膜体上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、この薄膜形成工程後に上記薄膜にイオンビームを照射するイオンビーム照射工程とを具備することを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

C23C 14/58 ,  C23C 14/22 ,  C23C 14/54

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-263968
  
• 特開昭59-123233
  
• 特開平3-006373