新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000214450
Publication number (International publication number)：2002030116
Application date： Jul. 14, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 DUV領域の光源を用いるホトリソグラフィー分野において、透過性に優れ、かつ高感度、高解像性、優れた焦点深度幅特性を有し、シリル化剤を用いて高アスペクト比のレジストパターンを形成するプロセスに適した化学増幅型のホトレジスト組成物、その調製に適した新規コポリマー、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】例えば下記一般式(I)で表される繰返し単位(A)および不飽和カルボン酸無水物から導かれる繰返し単位(B)を含有する新規コポリマー。【化1】

Claim (excerpt)：

下記一般式(I)で表される繰り返し単位(A)、および不飽和カルボン酸無水物から導かれる繰り返し単位(B)を含有することを特徴とする新規コポリマー。【化1】(式中、R1は、水素原子、またはメチル基を表し、R2は、炭素原子数1〜4のアルキル基を表す)

IPC (14)：

C08F220/18 , C08F222/04 , C08F222/06 , C08F230/08 , C08G 81/02 , C08K 5/00 , C08K 5/103 , C08K 5/41 , C08L 33/06 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (16)：

C08F220/18 , C08F222/04 , C08F222/06 , C08F230/08 , C08G 81/02 , C08K 5/00 , C08K 5/103 , C08K 5/41 , C08L 33/06 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 570 , H01L 21/30 573

F-Term (65)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB34 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC03 , 2H025FA31 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA05 , 2H096HA02 , 2H096HA23 , 2H096HA30 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002BH021 , 4J002BQ001 , 4J002EC047 , 4J002ED027 , 4J002EE037 , 4J002EH037 , 4J002EH157 , 4J002EV296 , 4J002GP03 , 4J002HA05 , 4J031AA19 , 4J031AA20 , 4J031AA27 , 4J031AA59 , 4J031AB01 , 4J031AC09 , 4J031AC13 , 4J031AD01 , 4J031AE19 , 4J031AF22 , 4J100AK31P , 4J100AK32P , 4J100AL08P , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100AP16Q , 4J100BA14P , 4J100BA72Q , 4J100BC04R , 4J100BC09S , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100FA03 , 4J100JA37 , 5F046LA18 , 5F046NA01 , 5F046NA11

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