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J-GLOBAL ID:200903074376547662

セラミツク多層配線基板およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991218336
Publication number (International publication number):1993055758
Application date: Aug. 29, 1991
Publication date: Mar. 05, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、表面平坦性に優れたセラミック多層配線基板を生産性良く得ることを目的とする。【構成】 そこで本発明は、絶縁性基板1上に複数層の絶縁体層2が積層され、この絶縁体層2の積層体は中部に凹部を備えるとともにこの凹部の外周部には配線パターン3が設けられ、前記凹部には電子部品が装着されるとともに絶縁部材が埋め込まれ最外層の絶縁体層2と平坦化されている構造であることを特徴とするものである。
Claim (excerpt):
絶縁性基板上に複数層の絶縁体層が積層形成され、かつこの絶縁体層の積層体の内側部分に凹部を備えるとともに、この凹部の外周部に配線パターンを設け、前記凹部には電子部品を装着するとともに絶縁部材で埋め込み、最外層の絶縁体層と平坦化したことを特徴とするセラミック多層配線基板。
IPC (3):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15
FI (2):
H01L 23/12 N ,  H01L 23/14 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開昭62-172796
  • 特開平1-134995
  • 特開平1-134995
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