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J-GLOBAL ID：200903074377519590
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996211218
Publication number (International publication number)：1998056173
Application date： Aug. 09, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】ターンオフ時間をさらに向上した素子を提供する。【解決手段】ドレイン領域2である半導体基体に接するソース領域3と、ソース領域3を挟み込むように配置された溝と、溝の内部に設けられた絶縁膜4によってドレイン領域3と絶縁された絶縁電極5とを有し、この絶縁電極5によって挟み込まれた部分をチャネル領域7とし、絶縁膜4とドレイン領域2に接しソース領域3には接しないゲート領域8を有し、かつ、絶縁電極5の電位は、少なくともソース領域3と同電位もしくはゲート領域8が絶縁膜4界面に少数キャリアを供給するときに移行する第一の極性の電位(例えば正電位)とは反対極性の電位(例えば負電位)に保持されるように構成した半導体装置。
Claim (excerpt)：
ドレイン領域である一導電型の半導体基体の一主面に接して同一導電型のソース領域を有し、前記主面に接して前記ソース領域を挟み込むように配置された第一の溝を有し、前記第一の溝の側壁は前記主面に対してほぼ直角に形成されていて、前記第一の溝の内部には、第一の絶縁膜によって前記ドレイン領域と絶縁された第一の絶縁電極を有し、前記第一の絶縁電極は、少なくとも前記第一の絶縁電極の電位が前記ソース領域と同等である時には、前記絶縁膜を介して隣接する前記ドレイン領域に空乏領域を形成するような仕事関数の導電性材料から成り、前記ソース領域に接する前記ドレイン領域の一部であって、前記第一の絶縁電極によって挟み込まれたチャネル領域を有し、前記チャネル領域には前記第一の絶縁電極の周囲に形成された前記空乏領域によって多数キャリアの移動を阻止するポテンシャル障壁が形成されていて、遮断状態における前記ドレイン領域側からの電界が前記ソース領域近傍に影響を及ぼさないように、前記チャネル領域にあって前記第一の溝の底部から前記ソース領域までの距離すなわちチャネル長は、前記チャネル領域にあって対面する前記第一の溝の側壁同士の距離すなわちチャネル厚みの、少なくとも2乃至3倍となっており、さらに、前記第一の絶縁電極を取り囲む前記第一の絶縁膜の界面に少数キャリアを供給して反転層を形成し、前記第一の絶縁電極から前記ドレイン領域への電界を遮蔽して前記チャネル領域に形成されたポテンシャル障壁を減少もしくは消滅させてチャネルを開くべく、前記第一の絶縁膜ならびに前記ドレイン領域に接して、前記ソース領域には接しない、反対導電型のゲート領域を有する半導体装置であって、前記第一の絶縁電極の電位は、少なくとも遮断状態においてはソース領域と同電位もしくは、前記ゲート領域が前記絶縁膜界面に少数キャリアを供給するときに移行する第一の極性の電位とは反対極性の電位に保持される、ことを特徴とする、半導体装置。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 29/78 654 C
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/80 V
