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J-GLOBAL ID：200903074380361522

液処理方法及びその装置

Inventor： 山坂 都
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997287905
Publication number (International publication number)：1998172951
Application date： Oct. 03, 1997
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 洗浄処理された後の被処理体の表面に残存するウォータマークを除去し、パーティクルの発生を低減すること。【解決手段】 スピンチャック10にて保持される半導体ウエハWを回転させながら半導体ウエハWの表面に純水を供給して洗浄した後、半導体ウエハWを回転させながら半導体ウエハWの中心から外周に向かってN2ガスを供給して乾燥することにより、半導体ウエハW表面に残存するウォータマークを除去する。

Claim (excerpt)：

回転保持手段にて保持される被処理体を回転させながら被処理体の表面に洗浄液を供給して洗浄する工程と、上記被処理体を回転させながら被処理体の表面の中心から外周に向かって不活性ガスを供給して乾燥する工程と、を具備することを特徴とする液処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 351 ,  H01L 21/304 361

FI (2)：

H01L 21/304 351 S ,  H01L 21/304 361 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 基板乾燥方法および基板乾燥装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-236268   Applicant：株式会社日立製作所