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J-GLOBAL ID：200903074381815314

配線構造およびこの配線構造の形成方法ならびにこの配線構造を適用する半導体集積回路

Inventor： 山本 浩
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998195642
Publication number (International publication number)：1999087510
Application date： Jul. 10, 1998
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】配線間の静電容量を削減し、さらに配線抵抗を削減し、半導体集積回路の動作速度を高速化させることができる配線構造、および、この配線構造の形成方法、ならびに、この配線構造を適用する半導体集積回路を提供すること。【解決手段】第1の絶縁層と、第1の絶縁層の上に形成された配線層と、少なくとも配線層の配線間に形成された低誘電率膜を含む第2の絶縁層とを有し、配線層の配線間に形成された第2の絶縁層の底面の高さを、配線層の配線の底面の高さよりも、配線間の間隔の20%以上低く形成し、さらに、下層側の配線層の内、少なくとも1つの配線層をAl系配線とし、上層側の配線層の内、少なくとも1つの配線層を銅系配線層とすることにより、上記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路に適用される配線構造であって、半導体基板の上に形成された第1の絶縁層と、この第1の絶縁層の上に形成され、少なくとも1つの隣接する配線を含む配線層と、少なくとも前記配線層の隣接する配線の間に形成され、シリコン酸化膜よりも低い誘電率を持つ低誘電率膜を含む第2の絶縁層とを有し、前記隣接する配線の間に形成された前記第2の絶縁層の底面の高さは、前記隣接する配線の底面の高さよりも、前記隣接する配線間の間隔の20%以上低く形成されていることを特徴とする配線構造。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 V