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J-GLOBAL ID：200903074390176120

偏波変調可能な半導体レーザ

Inventor： 内田 護 ,  尾内 敏彦
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995063356
Publication number (International publication number)：1995307530
Application date： Feb. 27, 1995
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】チャーピングを抑えることができ、作製の容易な半導体レーザとそれを用いた光ネットワークである。【構成】分布反射器が形成されている半導体レーザであって、活性層104の構造が複数の量子井戸から成る。各々の量子井戸のウエル層あるいはバリア層あるいは両方の構造が他の量子井戸のそれと異なる非対称量子井戸である。半導体レーザの層構成で誘起され偏波方向が互いに直交する2つの導波モードに対して、活性層104に注入するキャリアの密度を変化させることにより、活性層104の生成する利得スペクトルが前記2つのモードのしきい発振利得に選択的に制御される。

Claim (excerpt)：

分布反射器が形成されている半導体レーザであって、活性層の構造が複数の量子井戸からなり、かつ各々の量子井戸のウエル層あるいはバリア層あるいは両方の構造が他の量子井戸のそれと異なる非対称量子井戸であり、該半導体レーザの層構成で誘起され偏波方向が互いに直交する2つの導波モードに対して、該活性層に注入するキャリアの密度を変化させることにより、該活性層が生成する利得スペクトルを前記2つのモードのしきい発振利得に選択的に制御し得る構造を有することを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-283981
  
• 特許第5117469号
  
• 特開平4-283981
  
• 特許第5117469号