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J-GLOBAL ID：200903074417320210

双安定メモリ要素及び磁気メモリ

Inventor： 島田 寛 ,  北上 修
Applicant, Patent owner： 大木 登
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001182606
Publication number (International publication number)：2002374019
Application date： Jun. 15, 2001
Publication date： Dec. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 スピン渦巻き構造を利用した双安定スイッチング要素を提供すること。超高密度記録が可能な磁気メモリを提供すること。【解決手段】 径80〜4000nm、高さ40〜80nmの円形ドットからなり、スピン渦巻き構造を有していることを特徴とする双安定スイッチング要素。

Claim (excerpt)：

径80〜4000nm、高さ40〜80nmの円形ドットからなり、スピン渦巻き構造を有していることを特徴とする双安定スイッチング要素。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  G11C 11/16 ,  H01L 29/82

FI (6)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 U ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  G11C 11/16 ,  H01L 29/82 Z