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J-GLOBAL ID：200903074418305460

高誘電率シリケート・ゲート誘電体

Inventor： ジョン マーク アンソニー ,  スコット アール.サマーフェルト ,  ロバート エム.ウォーレス ,  グレン ディ.ウィルク
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998242453
Publication number (International publication number)：1999135774
Application date： Jul. 24, 1998
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高誘電率シリケート・ゲート誘電体を備えた電界効果型半導体デバイスを提供すること。【解決手段】 シリコン基板上に半導体性チャンネル領域24を形成し、この基板の上に金属シリケート・ゲート誘電体層36を形成し、次に伝導性ゲート38を形成する。シリケート層36は、ハフニウム・シリケートなど、ゲート誘電体の誘電定数が二酸化シリコンの誘電定数よりずっと大きいものが良い。ただし、シリケート・ゲート誘電体は、高ブレークダウン、低境界領域状態密度、高安定性など二酸化シリンコンの利点を備えて設計することもできる。

Claim (excerpt)：

集積回路上に電界効果デバイスを製作する方法であって、単結晶シリコン基板を備えるステップと、前記基板上に金属シリケート誘電層を形成するステップと、前記金属シリケート誘電層に伝導性ゲートを形成するステップとからなる方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-024541
  
• 特開昭58-220457