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J-GLOBAL ID：200903074420724801

ヘテロ接合を有する化合物半導体基板およびそれを用いた電界効果トランジスタ

Inventor： 松ヶ谷 和沖 ,  田口 隆志 ,  上野 祥樹 ,  服部 正
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992288765
Publication number (International publication number)：1994140435
Application date： Oct. 27, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Pseudomorphic HEMTにおいて、チャネル層内の2DEGの分布がドープ層とのヘテロ界面近傍に集中するのを防止し、同時に歪みの加わったチャネル層の膜厚を薄くすることができる構造を提供する。【構成】 InP 基板1上に成長させたn-InAlAs/InGaAs Pseudomorphic 構造において、InAlAs/InGaAs ヘテロ界面にInGaAsチャネル層3よりもIn組成の少ないInGaAsスペーサ層4を挿入した。InGaAsチャネル層3のIn組成は0.80としてチャネル層の高移動度化を図り、それ以外のバッファ層2,スペーサ層5,ドープ層6のInAlAs層はIn組成を基板に格子整合する0.52、InGaAsスペーサ層4,キャップ層7のInGaAs層は基板に格子整合する0.53とした。本構造により2次元電子ガスの分布が制御され、移動度をさらに向上することができる。

Claim (excerpt)：

InGaAs層とInAlAs層とのヘテロ接合を有する化合物半導体基板において、上記InGaAs層のIn組成が上記InAlAs層のIn組成よりも大きい構造とされ、かつ、上記InGaAs層とInAlAs層とが接するヘテロ接合界面に、上記InAlAs層のIn組成とほぼ等しいIn組成を持つInGaAs層,あるいは上記InGaAs層のIn組成よりも小さいIn組成を持つInGaAs層が挿入されていることを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-068143
  
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-113283   Applicant：日本電気株式会社
• 電界効果型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-150560   Applicant：三洋電機株式会社