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J-GLOBAL ID：200903074426917547

ジフェノール酸第三級ブチルエステル誘導体及びそれを含有するポジ型レジスト材料

Inventor： 八木橋 不二夫 ,  渡辺 淳 ,  高見沢 稔 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  松田 維人
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 滝田 清暉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993244004
Publication number (International publication number)：1994287163
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Oct. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】光レジストの溶解阻害剤として用いた場合に優れた特性を示すジフェノール酸第三級ブチルエステル誘導体、及び、それを含有する遠紫外線、電子線及びX線等の高エネルギー線に対して高い感度を有すると共に、アルカリ水溶液で現像することのできる、微細加工に適したポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】下記化1で表されることを特徴とするジフェノール酸第三級ブチルエステル誘導体及びそれを用いたポジ型レジスト材料。【化1】式中、R1 は酸性条件下で容易に脱離可能な保護基を表し、R2 は水素原子、低級アルキル基又はアルコキシ基の何れかを表す。

Claim (excerpt)：

下記化1で表されることを特徴とするジフェノール酸第三級ブチルエステル誘導体;【化1】式中、R1 は酸性条件下で容易に脱離可能な保護基を表し、R2 は水素原子、低級アルキル基又はアルコキシ基の何れかを表す。

IPC (8)：

C07C 69/732 ,  C07C 39/16 ,  C07C 69/734 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027 ,  C08K 5/10 ,  C08L 25/18 LEK

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-005240
  
• 特開昭57-040248
  
• 特開昭57-040249