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J-GLOBAL ID：200903074435487385
半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997298488
Publication number (International publication number)：1999135887
Application date： Oct. 30, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】AlGaInP系の半導体レーザにおける可飽和吸収層のドーパント濃度を、その拡散を抑えつつ、高くして、自励発振を好適に行わせる。【解決手段】GaInP系の可飽和吸収層7に2種以上のドーパント、例えば、ZnとSeを同時にドープする。【効果】濃度が高くなると拡散が非常に大きくなるZnの濃度をそれ程高くしなくても済むようになり、また、n型不純物であるSeがp型不純物であるZnの拡散を抑制するので、例えば、Znの活性層4への拡散によるレーザ特性の劣化が低減する。
Claim (excerpt)：
アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)及びリン(P)から主としてなる活性層と、Al、Ga、In及びPから主としてなるクラッド層と、前記クラッド層内に設けられた、Ga、In及びPから主としてなる可飽和吸収層とを備えた半導体レーザにおいて、前記可飽和吸収層が2種以上のドーパントを含有していることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
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