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J-GLOBAL ID：200903074436590406

多結晶シリコン膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及びリモートプラズマ装置

Inventor： 宮本 育昌 ,  布施 マリオ
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993142529
Publication number (International publication number)：1994333823
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 多結晶シリコンを半導体活性層とした薄膜トランジスタの水素化処理方法において、薄膜トランジスタに損傷を与えることなく水素化効率を向上させることを目的とする。【構成】 絶縁性基板1上に非晶質シリコン膜21を成膜する第1の工程と、水素プラズマ中若しくは水素プラズマを含む雰囲気中で前記非晶質シリコン膜21にレーザビームを照射して多結晶シリコン膜22に再結晶させる第2の工程と、を具備することにより、非晶質シリコン膜21を再結晶させて多結晶シリコン膜22とすると同時に膜内のダングリングボンドを水素で終端させる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に非晶質シリコン膜を成膜する第1の工程と、水素プラズマ中若しくは水素プラズマを含む雰囲気中で前記非晶質シリコン膜にレーザビームを照射して多結晶シリコン膜に再結晶させる第2の工程と、を具備することを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784