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J-GLOBAL ID：200903074438992099

光電変換素子

Inventor： 平岡 俊郎 ,  角野 裕康 ,  堀口 昭宏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998067157
Publication number (International publication number)：1999266028
Application date： Mar. 17, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 セルの内部抵抗を上昇させる透明電極を用いることなく半導体層への充分な入射光強度を確保し、アノードとカソードとの間の電極間間隔を拡大せずに、半導体層中での入射光の光路長を大きくすることができ、安価な樹脂製基板を光透過性基板として用いることが可能で、光電変換効率も一定な高効率光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも一方の表面が絶縁性である基板、この基板の絶縁性面の上に形成され、第1極性の電極と第2極性の電極とからなる一対の電極、前記第1極性の電極に接触して前記第1極性の電極上に形成され、色素を担持した半導体層、及び前記第2極性の電極と前記半導体層との間に形成され、イオン伝導性物質又はホール伝導性物質を含む電荷輸送層を具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも一方の表面が絶縁性である基板、この基板の絶縁性面の上に形成され、第1極性の電極と第2極性の電極とからなる一対の電極、前記第1極性の電極に接触して前記第1極性の電極の上に形成された、色素を担持した半導体層、および前記第2極性の電極と前記半導体層との間に形成され、イオン伝導性物質またはホール伝導性物質を含む電荷輸送層を具備することを特徴とする光電変換素子。