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J-GLOBAL ID：200903074454291580
磁気抵抗センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995017330
Publication number (International publication number)：1996213238
Application date： Feb. 03, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：
【要約】【目的】 スピンバルブ素子の磁性自由層をCo-Zr系の非晶質で構成することにより、性能のよい磁気抵抗センサを提供する。【構成】 基板9としてSiを使用し、その上に順に下地層8としてTa、磁性自由層7としてCo-Zr-Nb、Co-Zr-Ta、Co-Zr-Re又はCo-Zr-Moのいずれか1つ、非磁性導電層6としてCu、磁性固定層5としてCo、反強磁性層4としてFe-Mn、保護層10としてTaを夫々積層した。【効果】 低磁界において高MR比を呈する磁気抵抗センサが得られる。
Claim (excerpt)：
印加した磁界により磁化の方向が変化する磁性自由層を含むスピンバルブ素子を備えた磁気抵抗センサにおいて、前記磁性自由層を非晶質で構成したことを特徴とする磁気抵抗センサ。
IPC (5)：
H01F 10/30
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01L 43/08
, H01L 43/10
