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J-GLOBAL ID：200903074468830360
イン サイチュー型ジョセフソン接合構造
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242116
Publication number (International publication number)：1995074401
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：
【要約】【構成】 c-軸に垂直な層状結晶構造を有する酸化物系超電導体において、結晶内c-軸方向を通電方向とする。【効果】 イン サイチュー型ジョセフソン接合として、従来のように高度薄膜技術等に依存することなく、各種デバイスへの応用が可能となる。
Claim (excerpt)：
c-軸に垂直な層状結晶構造を有する酸化物系超電導体において、結晶内c-軸方向を通電方向とすることを特徴とするイン サイチュー型ジョセフソン接合構造。
IPC (3)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/22
, H01L 39/24 ZAA
