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J-GLOBAL ID:200903074480880659

酸化物半導体ガスセンサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青木 朗 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991030936
Publication number (International publication number):1994222026
Application date: Feb. 26, 1991
Publication date: Aug. 12, 1994
Summary:
【要約】【目的】 酸化物半導体ガスセンサに関し、ヒータを使用しなくても済み、雰囲気ガス温度の高低や雰囲気のリッチ・リーンにかかわらず広い温度範囲で安定にセンサを作動させることができ、しかもサーミスタ素子を一体焼成できる耐久性にすぐれた酸化物半導体ガスセンサを提供することを目的とする。【構成】 雰囲気ガスの酸素分圧に応じて抵抗値が変化する金属酸化物半導体からなる感ガス層5を基板1上に有してなり、かつセンサ素子に直列に温度補償用サーミスタ素子6を接続する形式の酸化物半導体ガスセンサであって、前記温度補償用サーミスタ素子がn型酸化物半導体とp型酸化物半導体の混合物から形成されているように構成する。
Claim (excerpt):
雰囲気ガスの酸素分圧に応じて抵抗値が変化する金属酸化物半導体からなる感ガス層を基板上に有してなり、かつセンサ素子に直列に温度補償用サーミスタ素子を接続する形式の酸化物半導体ガスセンサであって、前記温度補償用サーミスタ素子がn型酸化物半導体とp型酸化物半導体の混合物から形成されていることを特徴とする酸化物半導体ガスセンサ。

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