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J-GLOBAL ID：200903074488761748

レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 武田 隆信 ,  渡邊 修
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002195740
Publication number (International publication number)：2004045448
Application date： Jul. 04, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(R1及びR2は水素原子、ヒドロキシ基、アルキル基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R3はメチル基、又はエチル基を表す。R4、R5はアルキル基を表し、R4、R5が結合して環構造となってもよい。)【効果】本発明は、保存安定性が良好で実用性が高く、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストも大幅に高く、高感度で、広いベーク温度領域においても高解像性を実現したレジスト材料を与えることが可能である。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (4)：

G03F7/039 ,  C08F20/26 ,  C08F212/04 ,  H01L21/027

FI (4)：

G03F7/039 601 ,  C08F20/26 ,  C08F212/04 ,  H01L21/30 502R

F-Term (31)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 感放射線性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-228833   Applicant：ジェイエスアール株式会社