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J-GLOBAL ID：200903074492503141
位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992230150
Publication number (International publication number)：1994075362
Application date： Aug. 28, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 この発明は、位相シフトマスクのピンホール欠陥の修正方法において、異物やパターン欠陥の発生を生じさせることなく容易にピンホール欠陥部を修正することを可能とした位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法を提供する。【構成】 シフタ膜3に生じたピンホール4の修正において、このピンホール4が生じたシフタ膜3を一旦除去し、再び新たなシフタ膜を形成することなく、ピンホール4内部にシフタ膜3と略同一の屈折率を有する欠陥修正剤5(SOG膜,PMMA膜)を充填している。これにより、ピンホール欠陥修正を容易に実施することが可能となる。
Claim (excerpt)：
基板の上に所定パターンのシフタ膜が形成され、前記シフタ膜にピンホール欠陥を有する位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法であって、前記基板の上全面および前記ピンホール欠陥の内部に前記シフタ膜と略同一の屈折率を有する欠陥修正剤を堆積する工程と、堆積された前記欠陥修正剤の表面であって、かつ前記シフタ膜の真上の領域にレジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとして、前記欠陥修正剤のパターニングを行なう工程と、前記レジスト膜と前記シフタ膜上面の欠陥修正剤とを除去する工程と、を備えた位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 21/30 301 W
, H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
