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J-GLOBAL ID:200903074513196155

t-ブチルアクリレートポリマーおよびフォトレジスト組成物中でのその使用

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高木 千嘉 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001134815
Publication number (International publication number):2001318467
Application date: May. 02, 2001
Publication date: Nov. 16, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高解像度のフォトレジストパターンを形成するためのフォトレジスト組成物の提供。【解決手段】 このフォトレジスト組成物は、モノマー単位【化1】(式中、0.5≦a≦0.7、0.15≦b≦0.3、0.1≦c≦0.2、0.3≦b+c≦0.5であり、RはH、またはC1〜C4のアルキル基であり、R1はH、メチル、CH2OR2であり、各々のR3は独立してH、メチル、CH2OR、CH2CN、CH2XまたはCH2COOR4の基から選択され、XはCl、I、BrまたはFであり、R2はHまたはC1〜C4のアルキルであり、R4はC1〜C4のアルキル基であり、R5はイソボルニル、シクロヘキシルメチル、シクロヘキシルエチル、ベンジル、フェネチル、またはテトラヒドロフルフラール基である)を有するt-ブチルアクリレートのポリマー、フォトアシッド生成剤、溶媒、および場合によっては塩基性化合物からなる。
Claim (excerpt):
モノマー単位【化1】(式中、0.5≦a≦0.7、0.15≦b≦0.3、0.1≦c≦0.2、0.3≦b+c≦0.5であり、RはH、またはC1〜C4のアルキル基からなる群から選択され、R1はH、メチル、CH2OR2であり、各々のR3はH、メチル、CH2OR、CH2CN、CH2XまたはCH2COOR4の基からなる群から独立して選択され、XはCl、I、BrまたはFであり、R2はHまたはC1〜C4のアルキルからなる群から選択され、R4はC1〜C4のアルキル基であり、R5はイソボルニル、シクロヘキシルメチル、シクロヘキシルエチル、ベンジル、フェネチル、またはテトラヒドロフルフラール基からなる群から選択される)からなるt-ブチルアクリレートのポリマー、フォトアシッド生成剤、溶媒、および場合によっては塩基性化合物からなる感光性レジスト組成物。
IPC (7):
G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027 ,  C08F220:18
FI (7):
G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  C08F220:18 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (43):
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J002BC071 ,  4J002BC121 ,  4J002EN027 ,  4J002EN047 ,  4J002EN057 ,  4J002EN077 ,  4J002EN117 ,  4J002EP017 ,  4J002EQ016 ,  4J002EU017 ,  4J002EU027 ,  4J002EU057 ,  4J002EU117 ,  4J002EU137 ,  4J002EU187 ,  4J002EU237 ,  4J002EV127 ,  4J002EV216 ,  4J002EV236 ,  4J002EV296 ,  4J002EV327 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J100AB07P ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BC04R ,  4J100BC08R ,  4J100BC43R ,  4J100BC53R ,  4J100JA38

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