フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995069746
Publication number (International publication number)：1996262746
Application date： Mar. 28, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体集積回路の製造工程において無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、ドライエッチング後に残存するフォトレジスト層またはアッシング後に残存するフォトレジスト残渣物等を低温でかつ短時間に容易に剥離でき、配線材料を全く腐食せず、水のみでリンスできるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を5〜45重量%、グリコールモノアルキルエーテルを1〜25重量%、糖類または糖アルコール類を0.5〜15重量%、第四級アンモニウム水酸化物を0.01〜10重量%を含み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物及び該組成物を用いるフォトレジスト剥離方法。

Claim (excerpt)：

(1) 一般式 R1 R2 -NCm H2mOR3 (R1 及びR2 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはヒドロキシエチル基、R3 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシエチル基、メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は2〜4の整数)で表されるアルカノールアミン類、アルコキシアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を5〜45重量%、(2) 一般式 R4 -(Cp H2pO)q -R4 (R4 は水素または炭素数1〜4のアルキル基、p は2〜3の整数、q は1〜3の整数)で表されるグリコールモノアルキルエーテルを1〜25重量%、(3) 糖類または糖アルコール類を0.5〜15重量%、(4) 一般式[(R5 )3 N-R6 ]+ OH- (R5 は炭素数1〜4のアルキル基、R6 は炭素数1〜4のアルキル基またはヒドロキシアルキル基)で表される第四級アンモニウム水酸化物 0.01〜10重量%を含み、残部が水であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。

IPC (2)：

G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/42 , H01L 21/30 572 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

レジスト用剥離液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220410 Applicant：関東化学株式会社
ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-105186 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
特開昭64-088548

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