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J-GLOBAL ID：200903074526008404
シリコンウェーハ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992318440
Publication number (International publication number)：1994166595
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 金属汚染の影響を十分に除去することができ、信頼性の高い半導体デバイスを製造することができるシリコンウェーハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハであって、実質的に内部に境界を持たず、ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から5μm以内の酸素濃度との差が1.0×1018atoms/cm3 以上である。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハであって、実質的に内部に境界を持たず、ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から5μm以内の酸素濃度との差が1.0×1018atoms/cm3 以上であることを特徴とするシリコンウェーハ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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