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J-GLOBAL ID：200903074526392620
II-VI族化合物半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994031528
Publication number (International publication number)：1995170026
Application date： Mar. 01, 1994
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体装置におけるp側電極部のコンタクト抵抗、格子整合、動作電圧の改善をはかる。【構成】 p側電極部を金属電極をオーミックコンタクトしにくいp型の第1の半導体層11と、これの上に形成される金属電極をオーミックコンタクトできるp型の第2の半導体層12と、第1および第2の半導体層11および12間に介在される超格子構造部13とを有する構成とし、この超格子構造部13を少なくとも価電子帯に量子井戸を形成する第1の半導体薄層131と伝導帯に量子井戸を形成する第2の半導体薄層132の各1層以上の超格子層によって構成する。
Claim (excerpt)：
II-VI族化合物半導体素子に対するp側電極部が、金属電極をオーミックコンタクトしにくいp型の第1の半導体層と、これの上に形成される金属電極をオーミックコンタクトできるp型の第2の半導体層と、上記第1および第2の半導体層間に介在される少なくとも価電子帯に量子井戸を形成する第1の半導体薄層と伝導帯に量子井戸を形成する第2の半導体薄層とが積層されてなる超格子構造部とを有してなることを特徴とするII-VI族化合物半導体装置。
IPC (2)：
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