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J-GLOBAL ID：200903074528369129

多層配線基板のパターン形成方法

Inventor： 田村 浩悦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992050268
Publication number (International publication number)：1993251864
Application date： Mar. 09, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【構成】金属薄膜形成工程において基板1上に金属薄膜2を形成し、レジスト膜形成工程においてレジスト膜3を形成する。紫外線照射工程において、マスク4を介して紫外線9を照射し、レジスト現像除去工程においてレジストパターン5を形成する。1回目のレーザ照射工程は基板1を左に傾け、エキシマレーザ9でレジストパターン5の右側を除去し、2回目めのレーザ照射工程は、基板1を右に傾け左側を除去する。鍍金工程において、鍍金パターン8aを形成し、レジスト膜剥離工程においてレジストパターン5aを剥離する。エッチング工程において、鍍金パターン8aの下地になっている以外の金属薄膜2を除去し、絶縁層形成工程において絶縁層として感光性ポリイミド膜11を形成する。【効果】エッチング工程で金属薄膜残りを無くしてパターンショートの発生を防止でき、濡れ不良が原因の上の導体層の凸や上下の導体層間でのショートを防止できる。

Claim (excerpt)：

基板上に金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、前記金属薄膜上の全面にポジ型のレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定の部分を遮蔽した第1のマスクを介して紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記紫外線を照射したレジスト膜を現像して紫外線が照射された部分のレジスト膜を除去するレジスト膜現像除去工程と、前記基板をレジストパターンの軸を中心として傾け第2のマスクを介してレーザを前記レジストパターンの軸方向に垂直な断面の台形形状の上辺の各頂点から前記基板に垂直に降した線と前記台形の下辺とが交わる位置より内側に照射して除去する第1のレーザ照射工程と、前記第1のレーザ照射工程と同じように基板を反対側に同じ角度で傾け同じようにレーザを照射する第2のレーザ照射工程と、前記レジスト膜が除去された部分に鍍金を行い鍍金パターンを形成する鍍金工程と、前記レジストパターンを剥離するレジスト膜剥離工程と、前記金属膜をエッチングで除去するエッチング工程と、前記基板,鍍金パターン,金属膜を含む全体を絶縁層で覆う絶縁層形成工程とを含むことを特徴とする多層配線基板のパターン形成方法。

IPC (3)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/24