Pat

J-GLOBAL ID：200903074548319721

光半導体装置及びその製造方法

Inventor： 尾内 敏彦 ,  小野 武夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992341706
Publication number (International publication number)：1994169132
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】作製上の再現性が良い、回折格子と導波光との結合係数を導波方向において分布させた光半導体装置及びその製造方法である。【構成】光半導体装置は光を導波する導波構造を有し、利得媒質を有する活性層4と導波光の分布帰還結合を行う回折格子9、10を具備した光ガイド層3からなる。回折格子9、10と導波光との結合係数を、回折格子の次数を変化させることで、導波方向において分布させ、装置の入出力を行う周辺部より中心部において大きくしている。

Claim (excerpt)：

光を導波する導波構造を有し、利得媒質を有する活性層と該導波光の分布帰還結合を行う回折格子を具備した光ガイド層からなる光半導体装置において、該回折格子と導波光との結合係数を導波方向において分布させ、該装置の入出力を行う周辺部より中心部において大きくしたことを特徴とする化合物半導体装置。