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J-GLOBAL ID：200903074549272745
プラズマアッシング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北谷 寿一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994308591
Publication number (International publication number)：1996167590
Application date： Dec. 13, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：
【要約】【目的】 単一のダウンフロー型チャンバ内でイオン注入後のフォトレジストを完全に剥離し、基板ステージの昇温・降温制御を、制御性の悪いいわゆる協調制御によらずに行うことができるプラズマアッシング装置を提供する。【構成】 プラズマ処理工程の処理開始時点から処理終了時点までは、基板ステージ15に付設した加熱手段17への印加電力を加減することのみにより、基板ステージ15を所定の温度勾配で段階的に昇温制御し、準備工程では、基板ステージ15に付設した冷媒流通管18へ冷媒を流通させることのみにより、基板ステージ15の温度をプラズマ処理開始時の所定温度T0 まで冷却する。
Claim (excerpt)：
ダウンフロー型のプラズマアッシング装置の基板ステージ上での基板のプラズマ処理の開始からプラズマ処理の終了までの間をプラズマ処理工程と規定し、当該プラズマアッシング装置のプラズマ発生管内を大気圧まで復帰させ、基板ステージよりプラズマ処理を終えた基板を取り出し、当該基板ステージ上に未処理の基板を載置して当該プラズマ発生管内を所定気圧まで減圧するまでの間を準備工程と規定し、上記プラズマ処理工程の処理開始時点から処理終了時点までは、基板ステージに付設した加熱手段への印加電力を加減することのみにより、基板ステージを所定の温度勾配で段階的に昇温制御し、上記準備工程では、基板ステージに付設した冷媒流通管へ冷媒を流通させることのみにより、基板ステージの温度をプラズマ処理開始時の所定温度まで冷却することを特徴とするプラズマアッシング方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065
, G03F 7/42
, H01L 21/027
, H05H 1/46
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 572 A
