Pat
J-GLOBAL ID：200903074557514626
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994027927
Publication number (International publication number)：1995235604
Application date： Feb. 25, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：
【要約】【目的】 入出力端子電位が使用時に電源電圧範囲を超えても、半導体装置が安定動作し、かつ十分な静電気保護効果を有する半導体装置を提供する。【構成】 VBB端子32にドレイン33を、入出力端子34にソース35を、VSS端子36にゲート37を電気的にそれぞれ接続したNチャンネル型MOSトランジスタ38を適用する。この構成により、Nチャンネル型MOSトランジスタ38のゲート37が回路上最も低い電位であるVSS端子36に固定されているため、入出力端子34の電位がVBB端子32の電位を超えてもNチャンネル型MOSトランジスタ38はオンしない。このため入出力端子34のVBB端子32の電位を超えた使用にも安定動作が可能である。
Claim (excerpt)：
高電位設定電源端子と、低電位設定電源端子と、前記高電位設定電源端子の設定電位よりも高電位に設定された入力信号端子または出力信号端子として用いる入出力端子とを備える半導体装置において、前記高電位設定電源端子にドレインを、前記入出力端子にソースをそれぞれ電気的に接続するとともに、前記低電位設定電源端子にゲートを電気的に接続したNチャンネル型MOSトランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/08 102 F
, H01L 27/04 H
Cited by examiner (7)
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