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J-GLOBAL ID：200903074565232826

薄膜形成方法及びその装置

Inventor： 川村 茂 ,  鈴木 寿哉 ,  大場 隆之
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  富士通株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992355686
Publication number (International publication number)：1994188205
Application date： Dec. 17, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 CVD法により形成される例えばTiN膜中のClを除去してCl濃度を低下させること。【構成】 金属配線とシリコン膜との間のバリヤ層としてのTiN膜をTiCl4 ガスとNH3 ガスとを原料ガスとして反応室2内でCVD法により形成し、次いで後処理室5内で前記TiN膜を真空雰囲気下にて赤外線ヒータ6により加熱処理する。これによりTiN膜中のCl濃度が低くなり、金属配線の腐食が抑えられる。こうしてTiN膜の形成方法としてCVD法の採用が可能になりコンタクトホールの微細化に対応できる。

Claim (excerpt)：

薄膜成分及びClを含む化合物よりなる原料ガスを用いて気相反応により被処理基板上に薄膜を形成する工程と、この工程で薄膜が形成された被処理基板を真空雰囲気中で加熱処理して当該薄膜中のClを除去する工程と、を含むことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46