Pat
J-GLOBAL ID：200903074569904713

パターン形成方法

Inventor：
笹子 勝

About 笹子 勝


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998254076
Publication number (International publication number)：2000089464
Application date： Sep. 08, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：
【要約】【課題】 化学増幅型レジストからなるレジスト膜に対して真空紫外線又は極紫外線をパターン露光してレジストパターンを形成するパターン形成方法において、良好な断面形状を有するレジストパターンが得られるようにする。【解決手段】 半導体基板1上に、骨格が1つ又は2つである脂環式基、例えばテトラヒドロピラニル基を有するアクリルポリマーを含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜11を形成した後、該レジスト膜11に真空紫外線3をパターン露光する。パターン露光されたレジスト膜11を現像してレジストパターン11Aを形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に、骨格が1つ又は2つである脂環式基を有するアクリルポリマーを含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に真空紫外線又は極紫外線からなる露光光を照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 531 Z
F-Term (13)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025CB13 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  2H097CA13 ,  2H097FA03 ,  5F046AA07 ,  5F046CA08 ,  5F046LA00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM