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J-GLOBAL ID：200903074577444551

結晶成長装置及び結晶成長方法

Inventor： 高梨 啓一 ,  小川 正裕 ,  平本 一男
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994102518
Publication number (International publication number)：1995309694
Application date： May. 17, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【構成】 坩堝12内の溶融液13を加熱する加熱手段15と、溶融液13より単結晶20を引き上げる引き上げ手段16と、フュージョンリング部21の幅Wを検出する検出手段30と、フュージョンリング部21の幅Wに基づいて加熱手段15への供給電力及び引き上げ手段16の引き上げ速度を制御する制御手段33とを備えている結晶成長装置。【効果】 単結晶20の直径を予測することができ、前もって加熱手段15への供給電力を適切に変更することができ、溶融液13の温度をタイミングよく調整することができるため、単結晶20の直径Dを確実に制御することができ、ウエハの取り扱いを容易にしてコストを削減することができるとともに、単結晶20における品質の低下を防止することができる。

Claim (excerpt)：

結晶用原料を溶融させる坩堝と、該坩堝の周囲に配設された加熱手段と、前記坩堝内の溶融液より単結晶を成長させながら引き上げる引き上げ手段と、前記溶融液と成長する前記単結晶との界面に形成されたフュージョンリング部の幅を検出する検出手段と、前記フュージョンリング部の幅に基づいて前記加熱手段への供給電力及び前記引き上げ手段の引き上げ速度を制御する制御手段とを備えていることを特徴とする結晶成長装置。

IPC (3)：

C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-122188
  
• 特開昭64-037494