ホログラムの製造方法および装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000312715
Publication number (International publication number)：2001236002
Application date： Oct. 12, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】微小面積にホログラムを作成したり、埋め込み型のホログラムを多岐の基材に記録可能とする。【解決手段】パルス幅が900〜10フェムト秒、ピーク出力が1GW以上で、フーリエ限界またはそれと近似できるフェムト秒レーザーを光源とし、該レーザーからのパルスをビームスプリッターにより二つに分割し、二つのビームを光学遅延回路を介して時間的に制御し、かつ微小回転する反射面が平面のミラーと凹面のミラーを用いて空間的に制御し、ホログラムを記録する基材表面または基材内部に、偏光面を平行にして、エネルギー密度100GW/cm2 以上で集光し、二つのビームの集光スポットを時間的および空間的に合致させることにより、透明材料、半導体材料、または金属材料に不可逆的にホログラムを記録する二ビームレーザー干渉露光法によるホログラムの製造方法および装置。

Claim (excerpt)：

パルス幅が900〜10フェムト秒、ピーク出力が1GW以上で、フーリェ限界またはそれと近似できるフェムト秒レーザーを光源とし、該レーザーからのパルスをビームスプリッターにより二つに分割し、二つのビームを光学遅延回路を介して時間的に制御し、かつ微小回転する反射面が平面のミラーと凹面のミラーを用いて空間的に制御し、ホログラムを記録する基材表面または基材内部に、偏光面を平行にして、エネルギー密度100GW/cm2 以上で集光し、二つのビームの集光スポットを時間的および空間的に合致させることにより、高密度エネルギー照射によって生じる基材材料のアブレーションまたは基材材料の原子配列構造変化による基材表面の形状変化および/または基材材料の屈折率変化により、透明材料、半導体材料、または金属材料に不可逆的にホログラムを記録することを特徴とする二ビームレーザー干渉露光法によるホログラムの製造方法。

IPC (5)：

G03H 1/04 , G02B 5/18 , G02B 5/32 , H01S 3/00 , H01S 5/125

FI (5)：

G03H 1/04 , G02B 5/18 , G02B 5/32 , H01S 3/00 B , H01S 5/125

F-Term (31)：

2H049AA25 , 2H049AA34 , 2H049AA44 , 2H049AA65 , 2H049CA05 , 2H049CA08 , 2H049CA15 , 2H049CA28 , 2H049CA30 , 2K008BB01 , 2K008BB03 , 2K008BB08 , 2K008EE01 , 2K008EE04 , 2K008EE07 , 2K008FF07 , 2K008FF13 , 2K008FF14 , 2K008FF17 , 2K008HH01 , 2K008HH18 , 5F072AB20 , 5F072KK05 , 5F072KK15 , 5F072KK30 , 5F072SS08 , 5F072YY09 , 5F073AA64 , 5F073AA65 , 5F073DA21 , 5F073DA35

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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