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J-GLOBAL ID：200903074596878791

単結晶の製造方法

Inventor： 岡本 篤人 ,  杉山 尚宏 ,  谷 俊彦 ,  神谷 信雄 ,  恩田 正一
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
Agent (1)： 萼 経夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998098568
Publication number (International publication number)：1999278985
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 種結晶基板上に単結晶を成長させる単結晶製造方法において、結晶欠陥の少ない単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】 種結晶成長面において、成長初期には少なくとも一つ相対的な低温領域を設け、成長の中後期には、成長面内での温度分布を略均一にして(例えば、特定構造の種結晶載置部を有する単結晶成長用るつぼを用いる)単結晶を製造する方法である。本方法によると、成長初期に局所的に発生した成長核とらせん転位により導入されたステップのステップフローモードで単結晶の成長が行われるため、結晶欠陥の少ない単結晶を得ることができる。

Claim (excerpt)：

種結晶載置部に設置した種結晶基板上に単結晶を成長させることにより単結晶を製造する方法において、単結晶の成長初期には種結晶の成長表面に少なくとも一つ相対的な低温領域を設け、単結晶成長の中後期には成長表面の温度分布が略均一になる状態にて単結晶を成長させることを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/36

FI (2)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/36 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 化合物半導体単結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-325778   Applicant：住友電気工業株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-144410   Applicant：シャープ株式会社