半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997176654
Publication number (International publication number)：1999026722
Application date： Jul. 02, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】DRAMに用いられるキャパシタの電極の形成方法の改善に関する。【解決手段】半導体基板11上に下部電極19Aを形成する工程と、下部電極19A上に強誘電性を有する誘電体膜19Bを形成する工程と、誘電体膜19B上に上部電極19Fを形成する工程とを有するDRAMのキャパシタの製造方法であって、上部電極19Fを形成する工程は、誘電体膜19B上に第1の金属窒化膜19Cを形成する工程と、その上に水素吸蔵合金薄膜19Dを形成する工程と、その上に第2の金属窒化膜19Eを形成する工程とを有すること。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するDRAMのキャパシタであって、前記上部電極は、前記誘電体膜上に形成された第1の導電体膜と、前記第1の導電体膜上に形成された水素吸蔵合金薄膜と、前記水素吸蔵合金薄膜上に形成された第2の導電体膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 A , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-190469 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-238535 Applicant：日本電気株式会社
半導体メモリ素子のキャパシタ構造及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-276782 Applicant：ソニー株式会社

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