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J-GLOBAL ID：200903074615079110

表面上に不活性層を有するSiCメモリディスク基板

Inventor： ヘルムート ケルカー ,  ウルリヒ ヴィーゼ
Applicant, Patent owner： ワツカー-ケミー ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000534515
Publication number (International publication number)：2002505250
Application date： Feb. 25, 1999
Publication date： Feb. 19, 2002
Summary：

【要約】本発明は、シリコン層上に不活性層が存在することを特徴とする、シリコン層を備えた焼結SiCからなる基板に関する。この基板は殊に、メモリディスクのための基板として殊に好適である。

Claim (excerpt)：

シリコン層上に不活性層が存在することを特徴とする、シリコン層を備えた焼結SiCからなる基板。

IPC (2)：

C04B 41/89 ,  G11B 5/73

FI (2)：

C04B 41/89 Z ,  G11B 5/73

F-Term (6)：

5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006CB08 ,  5D006DA03 ,  5D006EA03 ,  5D006FA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気記録媒体及び磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-338324   Applicant：株式会社日立製作所
• 表面平坦化基板および表面平坦化基板の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-150087   Applicant：ホーヤ株式会社