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J-GLOBAL ID：200903074615169640
液晶表示装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992094057
Publication number (International publication number)：1993289105
Application date： Apr. 14, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】液晶表示装置用の薄膜半導体装置において、大型化,高精細化に適し、高い製造歩留まりを実現できかつ、簡略な製造工程で製造できる構造及び製造方法を提供する。【構成】走査信号電極を表面に陽極酸化膜を形成したTa電極10とAl電極11の積層膜で構成し、外部接続端子部は、上記陽極酸化膜をマスクとして上層のAl電極11をエッチング除去することによりTa電極10のみを露出させた。また、a-Si:H膜30とゲートSiN膜22を同一のパターンに加工した。さらに、映像信号電極14と画素電極13をITOとTi電極の積層膜で構成し1回のホト工程でパターニングする。この時画素電極上の光の透過部分のTi膜は保護SiN膜23のパターンをマスクとして除去する構成とした。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に形成した走査信号電極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなり、前記画素電極によって液晶を駆動する液晶表示装置において、前記走査信号電極は外部との接続端部以外は少なくとも2種以上の導電膜の積層膜で形成され、かつ前記積層膜を構成する最上層の導電膜の表面は全て前記最上層の導電膜を構成する金属材料を母材とする絶縁膜によって被覆され、前記接続端部は前記積層膜の下層の導電膜で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
