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J-GLOBAL ID：200903074615967695

半導体部材及び半導体装置並びにそれらの製造方法

Inventor： 佐藤 信彦
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 大塚 康徳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001264673
Publication number (International publication number)：2003078117
Application date： Aug. 31, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】回路素子が形成された半導体層を絶縁層の上に有する任意の厚さの半導体部材(特に、薄い半導体部材)を製造するために好適な技術を提供する。【解決手段】移設用分離層としての多孔質層12上に移設層としての単結晶Si層13及び絶縁層14を有する第1の基板10と、薄化用分離層としての多孔質層22上に単結晶Si層23を有する第2の基板20とを結合させて結合部材30を形成し、その後、結合基板30を多孔質層12において分離して半導体部材20’を作製する。半導体部材20’の単結晶Si層13上に回路素子を形成した後、それを多孔質層22において分離することにより薄化する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造方法であって、回路素子を形成するための素子層を表面に有し、内部に絶縁層を有し、前記絶縁層の中又は前記絶縁層よりも深い位置に薄化用分離部を有する半導体部材を作製する半導体部材作製工程と、回路素子が形成された前記半導体部材を前記薄化用分離部において分離することにより前記半導体部材を薄化する薄化工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/762 ,  H01L 29/786

FI (5)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 627 D

F-Term (71)：

5F032AA06 ,  5F032AA07 ,  5F032AA13 ,  5F032CA05 ,  5F032CA06 ,  5F032CA07 ,  5F032CA17 ,  5F032DA12 ,  5F032DA13 ,  5F032DA21 ,  5F032DA22 ,  5F032DA33 ,  5F032DA45 ,  5F032DA47 ,  5F032DA60 ,  5F032DA67 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F052DA01 ,  5F052KB04 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110HL26 ,  5F110HM15 ,  5F110NN22 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19